Подготовка почвы для посадки плодовых деревьев
Перед посадкой сада каждом участке следует провести подготовительные работы, перечень которых зависит от свойств почвы.
В плотных почвах с глубоким залеганием вод в местах будущих рядов деревьев необходимо вырыть траншеи шириной 50—70 см, глубиной 60—80 см с небольшим уклоном в сторону дренажной системы, если такая система есть, или в ту сторону участка, откуда можно организовать сброс избыточной воды. На дно траншеи укладывается слой рыхлого материала (песка, гравия, щебенки, битого камня) толщиной 25—40 см. Присыпав его слоем почвы 10—-15 см, можно уложить трубы с отверстиями для подпочвенного орошения и засыпать траншею почвой, вынутой из верхнего слоя. После усадки взрыхленного слоя в траншее можно высаживать деревья. Усадку почвы ускоряют поливом. Если в траншее нет выхода в общую дренажную систему, в конце надо оставить не засыпанным небольшой колодец для наблюдения за наличием воды. Стены колодца можно закрепить, чтобы они не обваливались.
Если почвы с глубины не более 60—70 см подстилаются рыхлым слоем песка, гравия, то здесь траншея не нужна, а достаточно выкопать яму для каждого дерева.
На плотных переувлажненных почвах с высоким залеганием грунтовых вод, где дренаж не дает желаемого результата, нужно деревья высаживать на насыпные валы. Для этого необходимо на месте будущего ряда снять верхний слой почвы 30—40-см, шириной 80—100 см, уложить 20—ЗО-см дренажа (песок, щебень, гравий, керамзит), затем уложить обратно снятый слой почвы, и взять дополнительную почву из междурядий или завезти со стороны, чтобы получился вал не менее 60 см. В почву вала можно внести минеральные и органические удобрения. Необходимо обеспечить сток избыточных вод в дренажную систему, водосборную яму или канаву. В некоторых случаях избыточные воды можно попытаться сбросить в глубокие слои почвы. Такое мероприятие возможно, если на глубине 3—5 м имеется рыхлый слой. Для этого пробивается 12 скважина в самом низком месте участка и в нее закладывается фашина, лучше из камыша, предотвращающая обвалы скважины, в верхней части ставится «замок» для улавливания илистых частиц.
На участке с маломощными почвами, где рыхлый слой не превышает 30—40 см, необходимо завезти суглинистую почву, увеличив тем самым рыхлый слой до 60 см и более. Нежелательно завозить песок или тяжелую глину, взятые с глубоких слоев, а также почву из очистных полей.
Применение сплошного пескование тяжелых, глинистых почв или глинование песчаных, ограничено , так как трудно равномерно распределить мелиорирующий материал по всей толщине корнеобитаемого слоя.
Закладывать сад на засоленных почвах нецелесообразно, избавиться от хлоридов и сульфатов натрия и магния можно только промывкой почвы пресной водой при наличии хорошей дренажной системы.
Солонцеватые почвы способны сильно набухать при увлажнении и уплотняться при высушивании из-за насыщенности почвенного поглощающего комплекса натрием. Наиболее распространенные приемы окультуривания их: внесение в почву гипса, серы, водных растворов кислоты. Доза внесения гипса при слабой солонцеватости 0,5 кг, при сильной—-1,5 кг на 1 м2. Гипс может быть заменен серой, которая, окисляясь в почве до серной кислоты, оказывает действие, улучшающее свойства почвы. Надо учесть, что мероприятие это медленно действующее, особенно при внесении серы. Более быстрое действие оказывает раствор серной кислоты. Однако при этом в почве образуются соли, и поэтому необходима ее промывка, что возможно при наличии дренажа. Раствор надо вносить в хорошо разрыхленную почву в дозе до 2—3 кг на 1 м2, можно по частям.
Хорошие результаты дает внесение гидролизного лигнина (отходы химической промышленности), содержащего до 3% серной кислоты.
Солонцеватость и засоление почвы может быть и вторичным явлением, связанным с орошением участков минерализованными грунтовыми водами из колодцев или скважин.
Старопахотные почвы с объемным весом 1,45 г/см3 обычно не требуют мелиоративной подготовки.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.